) 和高达210A的连续漏电流 (ID)。其阈值电压为3.5V,导通电阻在VGS = 10V时仅为2.8mΩ。AUF2805L-VB 的设计旨在处理大电流负载,并
2025-01-02 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
LF2805A射频功率 MOSFET 晶体管 5W,500-1000MHz,28V 射频功率 MOSFET 晶体管 5W,500-1000MHz,28V  
2022-11-28 21:12 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
特点PS2802-1和PS2802-4是包含GaAs发光二极管和NPN的光耦合隔离器用于高密度应用的塑料SSOP中的硅达林顿连接光电晶体管。此包装具有屏蔽效果,可阻挡环境光。 描述•高隔离
2025-02-21 10:13 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 产品简介AUF2805-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET,封装在 TO220 外壳中。该器件采用 Trench 技术制造,专为高电流和中等电压应用设计。它提供了非常低的导通电阻和高电流
2025-01-02 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
。AUIRF2805-VB能够在60V的漏源电压下提供高达210A的漏极电流,非常适合处理高功率负载和电源管理需求。其低导通电阻和高电流能力使其在电力电子系统中表现优
2025-01-03 15:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUF2805S-VB 产品简介AUF2805S-VB 是一款高性能单通道N沟道MOSFET,封装为TO263,设计用于高电流和高效率应用。其最大漏源电压(VDS)为60V,最大栅源电压
2025-01-02 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号