P沟道MOSFET（pFET）虽然比pnp晶体管贵，但不存在与pnp电路中基极驱动相关的耗散损耗。pFET 在轻负载时也具有较低的饱和电压（图 1）。事实上，低R的DS（ON）、逻辑电平、p沟道功率MOSFET目前可以从5.5V电池调节1V！
2023-06-10 10:25
P-channel MOSFETs (pFETs), though more expensive than pnp transistors, are free of the dissipation loss associated with base drive in a pnp circuit. pFETs also have a lower saturation voltage at light loads (Figure 1). In fact, the low RDS
2009-05-06 09:56
LM3489 器件是一款高效 PFET 开关稳压控制器，可以 用于快速轻松地开发小型、高性价比的开关降压稳压器，以实现宽 应用范围。磁滞控制架构提供了简单的设计，没有任何 使用各种外部元件的控制回路
2025-04-02 10:46
LM3485 是一款高效 PFET 开关稳压控制器，可用于 快速轻松地开发适用于各种 应用。磁滞控制架构提供了简单的设计，没有任何 使用各种外部元件的控制环路稳定性问题。PFET 架构 还允许低元件数量以及超低压差、100% 占空比运行。另一个 优点是在轻负载下高
2025-04-07 10:27
广，瞬态响应极快。迟滞控制还提供 即使在轻负载下也能高效运行。PFET 架构允许低组件 计数以及 100% 占空比和超低压差作。
2025-04-07 10:01
LM25085 是一款高效 PFET 开关稳压控制器，可用于 快速轻松地开发适用于各种应用的小型、高效的降压稳压器。这 高压控制器包含一个 PFET 栅极驱动器和一个高压偏置稳压器，其中 可在
2025-03-31 09:50
LM3485 是一款高效 PFET 开关稳压控制器，可用于 快速轻松地开发适用于各种 应用。磁滞控制架构提供了简单的设计，没有任何 使用各种外部元件的控制环路稳定性问题。PFET 架构 还允许低元件数量以及超低压差、100% 占空比运行。另一个 优点是在轻负载下高
2025-04-07 10:37
LM3489 器件是一款高效 PFET 开关稳压控制器，可以 用于快速轻松地开发小型、高性价比的开关降压稳压器，以实现宽 应用范围。磁滞控制架构提供了简单的设计，没有任何 使用各种外部元件的控制回路稳定性问题。PFET 架构 还允许低元件数量以及超低压差、100%
2025-04-01 09:28
LM25085A 是 LM25085 COT PFET 降压开关控制器的功能变体。 LM25085A的功能区别在于：反馈参考电压为 0.9V，强制 电流限位检测后的关断时间更长，软启动时间更短 （1.8 ms 的 API 中）。
2025-03-31 13:47
LM5085 是一款高效 PFET 开关稳压控制器，可用于 快速轻松地开发适用于各种应用的小型、高效的降压稳压器。这 高压控制器包含一个 PFET 栅极驱动器和一个高压偏置稳压器，其中 可在
2025-03-31 17:45
