描述该电路是非同步降压滞后控制器。其在输出端采用低 ESR 陶瓷电容器并使用串连电阻生成纹波。其采用高效 PFET 开关稳压器控制器 LM3489。PFET 架构可以减少组件数，还具有超低压降、100% 工作占空比。Another 另一个优点是在轻载时可实现高效操
2018-07-13 10:09
、PFET_SNK_CTRL_P0_PIN 和 PFET_SNK_CTRL_P0_PORT。 我应该手动执行此操作吗？还是必须在 GUI 中执行此操作？
2025-05-06 06:49
）、反向电压（通过 PFET 的体二极管）、具有 OVP 保护的电池断路开关 (PFET)。PMP10709 主要是四开关同步降压升压设计，支持宽输入电压范围（7 V 至 20 V），并能基于 A13 无线
2022-09-21 08:01
电压（通过 PFET 的体二极管）、具有 OVP 保护的电池断路开关 (PFET)。PMP10709 主要是四开关同步降压升压设计，支持宽输入电压范围（7 V 至 20 V），并能基于 A13 无线
2018-08-21 06:23
25 5 类传导 EMI 标准内置反极性保护单整流器系统，借助 PFET 消除了升压高侧整流器PFET 可替代 LM3481 控制器整流器以提高效率和热性能低组件温升
2018-08-16 06:05
接近最大功率。 MPPC通过输入电压调节控制回路实现。该板应连接到前端DC / DC电源，以获得完整的充电器解决方案。 DC1830B可定制，可处理各种应用，输出电压范围为3V至30V，提供PFET
2020-06-10 08:16
描述此电源设计可从标准 48V 电信输入生成隔离型 12V/100W 输出。UCC2897A 控制有源钳位正向转换器。INA202 和外部 PFET 用于提供从正向转换器的 12V 主输出产生的限流 12V/4.5A 输出。该电源的峰值效率超过 94%。
2018-07-20 08:40
概述：LM3485是美国国家半导体公司生产的一款迟滞具有PFET的降压控制器。它为MOSP 8脚封装工艺。工作电压4.5V，极限电压36V，工作温度范围零下40摄氏度至125摄氏度。
2021-05-19 08:01
反馈电压的精度为±2%，但1.05V设置为5%。联系国家半导体公司的便携式电源应用小组，如果需要其他电压微调。注7：磁滞电压是FB上的最小电压摆幅，它导致内部反馈和控制电路打开内部PFET开关，并且然后
2020-09-10 17:24
. MOSFET开关的架构MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）带有电荷泵的NFET。三种架构各有特点，详细的介绍，可以参考《TI Precision
2022-11-08 07:02
