### 产品简介VBsemi的2P03-VB是一款单P沟道MOSFET,采用Trench技术,封装在SOT23-6中。这款MOSFET具有负的漏源电压和低导通电阻,适用于负载开关和级联开关等领域
2024-07-12 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
器件型号: E2P102L-VB丝印: VBA4338品牌: VBsemi参数:- 2个P-Channel沟道- 额定电压: -30V- 最大电流: -7A- 沟道内阻: 35mΩ @ VGS
2024-03-18 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
IPD90P04P4L-04,OptiMOS®-P2功率晶体管 特征•P通道-逻辑电平-增强模式•AEC合格•MSL1最高260°C峰值回流•175°C工作温度•绿色包装(符合RoH
2023-02-16 16:31 深圳市金和信科技有限公司 企业号
IPD90P04P4L-04,OptiMOS®-P2功率晶体管 特征•P通道-逻辑电平-增强模式•AEC合格•MSL1最高260°C峰值回流•175°C工作温度•绿色包装(符合
2023-02-07 15:54 深圳市金和信科技有限公司 企业号
### 产品简介VBsemi 的 2P02-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 SOT23-6 封装。这款 MOSFET 具有负漏源电压和低导通电阻,适用于负载开关和级联电路。### 详细
2024-07-12 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi品牌的MMD2P03HDR2G-VB是一款SOP8封装的P沟道场效应晶体管。该器件具有2个P沟道,工作电压为-30V,最大漏极电流为-7A,导通电阻(RDS
2024-03-22 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号
**MMDF2P02HDR2G-VB 详细参数说明:**- 丝印:VBA4338- 品牌:VBsemi- 参数:2个P—Channel沟道,支持-30V电压,电流特性为-7A,RDS(ON)为35m
2024-03-22 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
品牌:VBsemi型号:NTMSD2P102LR2G-VB封装:SOP8丝印:VBA4338详细参数说明:- 通道类型:2个P沟道MOSFET- 额定工作电压:-30V- 最大连续漏极电流:-7A-
2024-04-02 14:59 微碧半导体VBsemi 企业号