在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET。对我来说非常重要的是，当
2018-08-23 10:30
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51
一般说明 PL2700是一种经济有效、低电压、单P-MOSFET负载开关，为自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。该开关的输入范围从2.4V到5.5V，使它非常适合3V和5V系统
2023-11-08 16:44
栅极端子连接的基板上，沉积了氧化层。由于该氧化层充当绝缘体（与基板绝缘），因此MOSFET也称为IGFET。在制造MOSFET时，轻掺杂的基板与严重掺杂的区域扩散。根据所使用的基板，它们分为P 型或
2023-02-02 16:26
可让您快速切换外围传感器。PCB的功能：1) 能够使用 P-MOSFET 开启和关闭功率传感器。 2) 使用 RF UART 在设备之间无线传输数据。您可以通过 COM 端口直接从传感器收集数据到您
2022-09-05 07:21
一般说明 FP6102是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6102包括高电流P-MOSFET，用于将输出电压与反馈放大器进行比较的高精度参考（0.5V），内部死时间控制器和用于控制
2023-10-19 14:19
MOSFET建议用12V电压驱动；驱动电阻建议220～510欧，必须用；驱动电阻能有效抑制寄生振荡；另外注意，N-MOSFET是正电压开通，VGS>0；P-MOSFET是负电压开通
2012-07-06 16:16
MOSFET建议用12V电压驱动；驱动电阻建议220～510欧，必须用；驱动电阻能有效抑制寄生振荡；另外注意，N-MOSFET是正电压开通，VGS>0；P-MOSFET是负电压开通
2012-07-04 17:31
控制器件。当空穴浓度形成沟道时，由于负栅极电压的增加，整个沟道的电流得到改善，因此这被称为 P沟道增强型MOSFET。2、P沟道耗尽型MOSFETP沟道耗尽型
2022-09-27 08:00
一般说明 FP6115是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6115包括一个高电流P-MOSFET，一个用于将输出电压与反馈放大器进行比较的高精度参考（0.8V），一个内部软启动定时器
2023-10-18 12:12
