电子发烧友

型号：AM90<b class='flag-s-7'>P10-30P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介AM90P10-30P-VB是一款单P沟道MOSFET，采用Trench技术，封装形式为TO220。具有负漏源极电压承受能力和低导通电阻特性，适用于需要

2024-12-03 15:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM90<b class='flag-s-7'>P06-06P</b>-VB 品牌：微碧

### AM90P06-06P-VB 产品简介AM90P06-06P-VB 是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用TO220封装，适合需要高

2024-12-03 15:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MP6412GQGU-<b class='flag-s-7'>P</b> 品牌：

MP6412GQGU-P型号简介      MP6412GQGU-P是MPS的一款用于导通和关闭主电源 P-沟道 MOSFET

2024-06-14 17:20 立年电子科技 企业号

型号：AM90<b class='flag-s-7'>P04-03P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介AM90P04-03P-VB是一款高性能单P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，封装形式为TO220。该产品具有优异的电气特性，适用于需要高效功率管理和电源

2024-12-03 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM3925<b class='flag-s-7'>P</b>-T1-PF-VB 品牌：微碧

阻和良好的电压控制特性，适用于低电压电源管理和电流开关控制应用。### 二、AM3925P-T1-PF-VB 型号的详细

2024-11-29 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BSP321<b class='flag-s-7'>P</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介BSP321P-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用SOT223封装。该MOSFET利用Trench技术设计，能够处理高达-100V的漏源极

2025-01-09 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM40<b class='flag-s-7'>P06-135P</b>-VB 品牌：微碧

承载能力，适合要求高效能和可靠性的电源管理和开关控制应用。### 详细参数说明- **封装类型**: TO220- **配置**: 单P沟道- **漏源电压 (VD

2024-11-29 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP30<b class='flag-s-7'>P</b>10GI-VB 品牌：微碧

### AP30P10GI-VB 产品简介AP30P10GI-VB 是一款单P沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。它具有高

2024-12-17 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM4919<b class='flag-s-7'>P</b>-T1-PF-VB 品牌：微碧

### 产品简介AM4919P-T1-PF-VB是一款双P+P-沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，封装形式为SOP8。该器件适合需要同时控制正负

2024-12-02 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AF1333<b class='flag-s-7'>P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介AF1333P-VB是一款单P沟道MOSFET，采用SC70-3封装。该器件适用于负电压应用场景，具有低导通电阻和适中的电流承载能力，适合于需要负

2024-11-27 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号