在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET
2018-08-23 10:30
上，那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压，那么图中的N-MOSFET岂不是始终导通不了？类似的道理，
2024-08-08 06:58
一般说明 PL2700是一种经济有效、低电压、单P-MOSFET负载开关，为自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。该开关的输入范围从2.4V到5.5V，使它非常适合3V和5V系统
2023-11-08 16:44
N 型 MOSFET。下图显示了MOSFET的结构。MOSFET的操作由栅极电压控制。由于栅极与通道隔离，因此可以对其
2023-02-02 16:26
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51
Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用
2018-03-03 13:58
反激式转换器。在同步整流器应用以及以太网供电（PoE）输入整流器中，低侧开关也被用来代替二极管作为整流器。P沟道MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中
2021-04-09 09:20
，两种P型材料形成源极 (S) 和漏极 (D)，铝用作电介质上的镀层以形成栅极 (G) 端子。其中，MOSFET的源极和主体简单地连接到 GND。当向栅极 (G) 端子施加负电
2022-09-27 08:00
一般说明 FP6102是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6102包括高电流P-MOSFET，用于将输出电压与反馈放大器进行比较的高精度参考（0.5V），内部死时间
2023-10-19 14:19
MOSFET建议用12V电压驱动；驱动电阻建议220～510欧，必须用；驱动电阻能有效抑制寄生振荡；另外注意，N-MOSFET是正电压开通，VGS>0；
2012-07-06 16:16
