电子发烧友

型号：HN20<b class='flag-s-7'>P</b>03 品牌：

深圳市三佛科技有限公司供应30V 20A P沟道 MOS管HN20P03，原装，库存现货热销 HN20P03  参数:  -30V -20

2022-11-29 11:33 深圳市三佛科技 企业号

型号：204<b class='flag-s-7'>P</b>-VB 品牌：微碧

### 204P-VB 产品简介204P-VB 是一种先进的双 P-沟道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 SOP8。它具有较低的导通电阻和较高的电流

2024-07-09 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD50<b class='flag-s-7'>P04P</b>4L-11-VB 品牌：微碧

型号   IPD50P04P4L-11-VB丝印   VBE2412品牌   VBsemi详细参数说明   沟道类型  P

2023-11-07 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：08<b class='flag-s-7'>P06P</b>-VB 品牌：微碧

### 08P06P-VB 产品简介：08P06P-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET，封装为 TO252。该器件具有 -60V 的漏极-源极电压（VDS），2

2024-07-04 13:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HN20<b class='flag-s-7'>P</b>04 品牌：

深圳市三佛科技有限公司 供应-40V -20A SOT-89 P沟道 MOS管HN20P04，原装，库存现货热销HN20P04  ： -40V  -

2022-11-29 13:49 深圳市三佛科技 企业号

型号：15<b class='flag-s-7'>P10P</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 15P10P-VB 产品简介15P10P-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，具有负向的漏极-源极电压容忍性和低导通电阻。采用沟槽工艺制造，适用于需要负向电

2024-07-06 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P</b>1203ED-VB 品牌：微碧

**参数：**- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-60A- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V

2023-12-18 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：50<b class='flag-s-7'>P</b>06-VB 品牌：微碧

型号：50P06-VB丝印：VBE2625品牌：VBsemi参数：- P沟道 MOSFET- 额定电压：-60V- 最大持续电流：-50A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 10V

2023-12-20 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FDD5614<b class='flag-s-7'>P</b>-VB 品牌：微碧

型号 FDD5614P丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72m

2023-10-28 11:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P36P</b>04S-E-VB 品牌：微碧

04S-E-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道功率场效应晶体管。该器件具有高性能特性，适用于各种负载开关应用。**详细参数说明：**  - 最大

2024-06-12 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号