### 204P-VB 产品简介204P-VB 是一种先进的双 P-沟道 MOSFET,采用 Trench 技术,封装形式为 SOP8。它具有较低的导通电阻和较高的电流
2024-07-09 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 08P06P-VB 产品简介:08P06P-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,封装为 TO252。该器件具有 -60V 的漏极-源极电压(VDS),2
2024-07-04 13:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15P10P-VB 产品简介15P10P-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,具有负向的漏极-源极电压容忍性和低导通电阻。采用沟槽工艺制造,适用于需要负向电
2024-07-06 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
**参数:**- 沟道类型:P沟道- 额定电压:-30V- 最大电流:-60A- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
2023-12-18 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:50P06-VB丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数:- P沟道 MOSFET- 额定电压:-60V- 最大持续电流:-50A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 FDD5614P丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48 微碧半导体VBsemi 企业号
04S-E-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道功率场效应晶体管。该器件具有高性能特性,适用于各种负载开关应用。**详细参数说明:** - 最大
2024-06-12 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号