### 08P06P-VB 产品简介:08P06P-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,封装为 TO252。该器件具有 -60V 的漏极-源极电压(VDS),2
2024-07-04 13:39 微碧半导体VBsemi 企业号
P0080S4BLRP 晶闸管浪涌保护器件 - TSPD SIDACtor Bi 6V 100A SOD123FL RoHSP0220S4BLRP晶闸管浪涌
2022-08-08 09:03 常州鼎先电子有限公司 企业号
**P06P03LCG-VB**是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应管。丝印标识为VBI2338,封装为SOT89-3。该器件具有以下主要参数:- **漏极-源极电压(VDS
2024-06-12 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
08P06P-VB 是一款 TO252 封装的单通道 P 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数:- VDS(漏极-源极电压):-60V- VGS(栅极-源极电压):±20V- Vth(阈值电压
2024-07-04 11:50 微碧半导体VBsemi 企业号