1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n
2019-07-23 04:20
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2016-11-14 14:09
），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。小到选N型还是P型、封装
2023-02-17 14:12
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，
2016-11-08 17:14
电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)
2021-09-09 06:29
、应用基础(8学时) ?开关控制和变换原理(2) ?物理基础与晶闸管的基本特性(6) v第3章功率电子器件 (20学时) ?器件（14） ：不控型
2008-08-03 17:05
: BJT）组成的复合型器件，它既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快、开关损耗小的优点，又具有BJT的电流密度大、饱和电压低、电流处理能力强的优点，在高压、大电流、高速
2015-12-24 18:13
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2019-08-08 21:40
/控制/保护/接口/监测等外围电路集成；而分立功率半导体器件则是功率模块与功率IC的关键。图表1 功率半导体
2019-02-26 17:04
改成 N管8.5u/5u P管 7.3u/5u利用电流公式 得到N管电流 181.96uAP管电流 48.1uA从图中仿真出来的电流比较，会发现，误差比较小。。可图中还可以看出，N管的Vth为0.75v
2022-07-15 17:54
