### 产品简介**型号：9N90L-T47-T-VB**9N90L-T47-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有高达900V的漏源电压额定值，适合
2024-11-27 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### AM90N08-05-T1-PF-VB 产品简介AM90N08-05-T1-PF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装，设计用于要求高压、高电流承载和低导通电
2024-12-03 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的2N90L-TM3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，具有较高的漏源极电压和适中的导通电阻。该器件适用于高压应用，如电源管理、逆变器和电机驱动
2024-07-12 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N90G-TA3-T-VB 产品简介4N90G-TA3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装，具备高电压耐受能力和稳定的性能特性。该器件采用
2024-11-13 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N90G-TA3-T-VB 产品简介8N90G-TA3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，封装为TO220。它具有高达900V的耐压能力和7A
2024-11-22 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：4N90L-TF3-T-VB**4N90L-TF3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它适用于中高功率应用，具有较高的漏源电压和适中的导通电
2024-11-13 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、6N90L-TA3-T-VB产品简介6N90L-TA3-T-VB 是一款VBsemi公司推出的单N沟道MOSFET，采用先进的超结多重外延（SJ_Multi-EPI）技术。该器件设计用于
2024-11-18 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 的 2N90L-TA3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。这款 MOSFET 具有高漏源电压和适中的导通电阻，适用于中功率
2024-07-12 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**9N90L-TF1-T-VB**是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它具备极高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，适用于高电压和中功率处理的应用场合。采用
2024-11-27 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**VBsemi 2N90L-TN3-T-VB TO252** 是一款高压单N沟道MOSFET，适用于要求高电压和高性能的应用。采用SJ_Multi-EPI技术，具有良好的导通特性
2024-07-12 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
