参数表节选：的技术参数 HiCTB16-YRS-RRB-AK-CC-DI16SupplyConnectionX20: terminals 3, 5(+); 4, 6(-)Nominal
2022-08-18 13:34 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
一 概述DI-1000D 是在 DI-1000的基础上进一步改进的二极管反向恢复测试仪，相比较DI-1000，它配备的电脑，可通过电脑设定 di/dt,If，等参数，它
2023-10-16 14:52 深圳艾克思科技有限责任公司 企业号
一 概述 DI-1nS-1n4148 可以测试反向恢复时间小于 350nS 的信号二极管，精度 0.1nS，尤其擅长测 试反向恢复时间小于 6nS 的高速信号二极管。 仪器采用
2023-07-11 11:43 深圳艾克思科技有限责任公司 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件，它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻，适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4913NG-VB MOSFET产品简介4913NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的开关特性，适用于需要
2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4809NG-VB MOSFET产品简介4809NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有低导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征，适用于
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
