随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展，对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市，工程师也
2023-06-08 15:40
有些工程师在模拟仿真时，可能会想使用一些在 LTspice 中没有的模型。LTspice 支持 SPICE 的基本语法，因此以常见的 SPICE 格式 (如 Pspice) 提供的 SPICE
2023-07-02 10:38
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第二部分，将重点介绍安森美M 1 1200 V SiC
2023-06-16 14:39
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC
2022-08-01 09:51
和 MOSFET。目前可提供击穿电压为 600 至 1,700 V、额定电流为 1 至 60 A 的 SiC 开关。这里的重点是如何有效地测量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03
和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07
本文是Speos Sensor System（SSS）的使用指南，这是一个强大的解决方案，用于camera sensor模拟结果的后处理。本文的目的是通过一个例子来理解如何正确使用SSS。当然本文描述的分析步骤适合任何案例。
2023-12-03 09:49
LTspice 最初是由凌力尔特（Linear Techonology）公司开发的，里面大部分器件是 LT 的。
2023-02-15 11:07
通常，电路设计人员独立使用 LTspice SOAtherm-NMOS 符号来验证特定 MOSFET 的 SOA 是否适合给定应用;无需额外的散热器或PCB散热模型。然而，在一些要求特别苛刻的应用中
2023-01-05 16:08
