电子发烧友网站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使
2025-02-13 17:21
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例总结 本文档基于GaN HEMT的实测特性描述了当前版本的模型。该模型专为与PSpice和
2025-03-11 17:43
生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南 。本文为
2023-06-25 14:35
Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数 功率 MOSFET
2022-04-07 11:40
提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的
2023-10-17 11:24
为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响，提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析
2018-03-13 15:58
。此外，今天的开关元件没有非常高的运行速度，不幸的是，在转换过程中不可避免地会损失一些能量（幸运的是，随着新电子元件的出现，这种能量越来越少）。让我们看看如何使用“LTspice”仿真程序来确定 SiC MOSFET
2022-08-05 08:05
基本半导体专家Nexperia今天宣布为其 MOSFET 器件发布新的增强型电热模型。半导体制造商通常会为其 MOSFET 提供仿真
2022-03-28 09:56
Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34
