17.3 - 18.4 GHz,60W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA1H1J050F 是一款 60W 封装 MMIC HPA,采用 Wolfspeed 的高性能
2023-08-09 09:15 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
17.3 - 18.4 GHz,60W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA1H1J050F 是一款 60W 封装 MMIC HPA,采用 Wolfspeed 的高性能
2023-08-09 09:13 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽(Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO252。该MOSFET具有低导
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4910NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于高性能和高效能的电子应用。封装为 TO252,具备优异的导通特性和热管
2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽(Trench)技术制造
2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4860NG-VB MOSFET 产品简介4860NG-VB 是一款高性能的单通道(Single-N-Channel)MOSFET,采用先进的沟槽(Trench)技术,封装为TO252。这款
2024-11-12 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号