），集电极应连接负载电阻（R1）。NPN晶体管使用B-E电流（IB）来控制C-E电流（IC）。E极电位最低，通常C极在正常放大时电位最高，即VC》VB》VE点。NPN基
2023-02-08 15:19
PNP 和 NPN 是两种类型的双极结型晶体管 （BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN
2023-02-03 09:50
低功耗设计中，晶体管控制电路会对电路产生一定的影响。无论是NPN还是PNP，晶体管的PN结都会有漏电流。当I/O控制基极电压时，为了稳定基极电压，一般在NPN开关电路的
2023-02-15 18:13
、发射极和集电极。为了识别NPN和PNP晶体管，我们有一些标准的电阻值。每对端子必须在两个方向上测试电阻值，总共进行六次测试。这种方法对于快速识别PNP
2023-02-03 09:44
必须将基端子接地，如图6所示。 图6.PNP晶体管的开关电路 用于计算集电极电流、基极电阻和电压的PNP晶体管方程与NPN计算中使用的公式相同。区别在于开关电流
2023-02-20 16:35
晶体管，基极上的电压必须低于发射极上的电压。像这样的基本电路通常将发射器连接到电源的加号。通过这种方式，您可以判断发射极上的电压。PNP 晶体管如何开启？PNP 和 NPN 晶
2023-02-03 09:45
“晶体管”一词是“传输”和“压敏电阻”的组合。该术语描述了这些设备在早期的工作方式。晶体管是电子产品的主要组成部分，就像DNA是人类基因组的组成部分一样。它们被归类为半导体，有两种一般类型：双极
2023-02-17 18:07
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN
2012-04-26 17:06
的开关动作关于数字晶体管的用语选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字
2019-04-09 21:49
集电极（也称为公共集放大器/ CC配置/发射极耦合器）。晶体管的分类3.1 晶体管如何分类》 晶体管中使用的材料根据晶体管中使用的半导体材料，可分为硅
2023-02-03 09:36
