NP90P012D6采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，本设备适用于用作负载开关或PWM应用。
2022-07-05 09:31
NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07
NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09
N78E055A为6T/12T 8051单片机系列，其特点为管脚兼容于传统12T 8051。N78E055A提供工业温度规格、宽电压工作范围2.4V至5.5V、22.1184 MHz内建RC晶振(1
2020-02-17 10:18
NP30N03LD6使用沟技术独特的优化提供最有效的高频率切换的性能。两个传导由于一个和交换式电源损失最小化 极低的RDS(上)和路上的组合。这设备是高频开关和理想同步整流。
2022-07-19 09:51
本Demo 方案板卡配合OWL-BNO055-Bit 模组为用户提供更快捷的开发，OWL-BNO055 方案板作为前期设计。而OWL-BNO055-Bit 直接为用户提供BNO
2023-06-24 14:36
NP2300MR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费 超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制 应用程序。
2022-07-14 14:01
NP4836高VGS耐压，双N沟道，独立双NMOS，采用SOP8封装，TDM3478，FP6606C，FP6606AC，FP6601Q，FP6601AA一级代理商，源头货源，可靠，优势，可未税/含税，支持小批量量产，技术支持。
2022-05-07 16:23 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
摘要：在对ARM体系结构进行分析的基础上，介绍了32位ARM核处理器W90N740的结构特点和优异性能，讨论了它的应用方法。给出了用W90N740芯片降低系统成本的实现方案。
2006-03-11 12:38
