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型号：<b class='flag-s-7'>82N06</b>-VB TO262 品牌：微碧

### 产品简介**82N06-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO262封装，具有优秀的导通特性和高电流承受能力。采用了Trench技术，适用于需要高效能和可靠性的电子应用。### 详细

2024-11-21 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N06</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 一、产品简介VBsemi 82N06-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件通过Trench技术设计，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高功率电源开关和电路控制

2024-11-21 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NP34N</b>055SLE-VB 品牌：微碧

### 产品简介NP34N055SLE-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET，具有60V的漏极-源极电压承受能力，最大漏极电流为45A。其特点包括低导通电阻（RDS

2024-06-12 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：80<b class='flag-s-7'>N04PDG</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**80N04PDG-VB** 是一款由 VBsemi 提供的单通道 N 型 MOSFET，采用 TO263 封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合于高功率低电压的电子

2024-11-21 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NP32N</b>055IDE-VB 品牌：微碧

一、NP32N055IDE-VB 产品简介：NP32N055IDE-VB 是一款 N-Channel 沟道 MOSFET，品牌为 VBsemi。其特点包括 60V 额定电压、45A 额定电流，且在

2024-06-12 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NP32N</b>055SHE-VB 品牌：微碧

NP32N055SHE-VB---**产品简介：**NP32N055SHE-VB 是由 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道 MOSFET。它具有优秀的性能特征，包括 60V 的漏极

2024-06-12 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NP22N</b>055SHE-VB 品牌：微碧

NP22N055SHE-VB---**产品简介：**NP22N055SHE-VB 是由 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道 MOSFET。它具有卓越的性能特性，包括 60V 的漏极

2024-06-12 11:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NP32N</b>055SLE-VB 品牌：微碧

型号：NP32N055SLE-VB品牌：VBsemi丝印：VBE1638参数说明：- 沟道类型：N-Channel- 最大工作电压：60V- 最大电流：45A- 开态电阻：24mΩ @ VGS

2024-06-18 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NP32N</b>055IHE-VB 品牌：微碧

### 产品简介NP32N055IHE-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET，具有60V的漏极-源极电压承受能力，最大漏极电流为45A。其特点包括低导通电阻（RDS

2024-06-12 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NP22N</b>055SLE-VB 品牌：微碧

**型号：** NP22N055SLE-VB  **丝印：** VBE1638  **品牌：** VBsemi  **产品简介：**  

2024-06-18 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号