NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01
NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07
NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09
NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)
2022-07-14 09:53
NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:06
NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:14
NP30N03LD6使用沟技术独特的优化提供最有效的高频率切换的性能。两个传导由于一个和交换式电源损失最小化 极低的RDS(上)和路上的组合。这设备是高频开关和理想同步整流。
2022-07-19 09:51
NP2300MR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费 超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制 应用程序。
2022-07-14 14:01
NP4836高VGS耐压，双N沟道，独立双NMOS，采用SOP8封装，TDM3478，FP6606C，FP6606AC，FP6601Q，FP6601AA一级代理商，源头货源，可靠，优势，可未税/含税，支持小批量量产，技术支持。
2022-05-07 16:23 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
