**NP40N10PDF-VB****丝印:** VBL1104N **品牌:** VBsemi **参数:** TO263;N—Channel沟道, 100V;45A
2024-02-19 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
VGS=10V 时,RDS(ON) 为 24mΩ,门极电压阈值 Vth 为 1.8V。该产品封装为 TO252,适用于各种电路设计需求。二、NP32N055IDE
2024-06-12 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
=10V- 阈值电压:Vth=1.8V- 封装类型:TO252产品简介:NP32N055SLE-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管,由VBsemi生产。该器件
2024-06-18 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号
NP32N055SHE-VB---**产品简介:**NP32N055SHE-VB 是由 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道 MOSFET。它具有优秀的性能特征,包括 60V 的漏极
2024-06-12 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号
NP22N055SHE-VB---**产品简介:**NP22N055SHE-VB 是由 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道 MOSFET。它具有卓越的性能特性,包括 60V 的漏极
2024-06-12 11:30 微碧半导体VBsemi 企业号
**型号:** NP22N055SLE-VB **丝印:** VBE1638 **品牌:** VBsemi **产品简介:**  
2024-06-18 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压:Vth=1.8V应用简介:NP32N055ILE-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应管,封装为T
2023-12-29 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON)为24mΩ@VGS=10V时的低导通电阻。阈值电压(Vth)为1.8V。以下是该产品的详细参数说明:- **型号:** NP32N055SDE-VB- **
2024-06-12 11:40 微碧半导体VBsemi 企业号