NP30N03LD6使用沟技术独特的优化提供最有效的高频率切换的性能。两个传导由于一个和交换式电源损失最小化 极低的RDS(上)和路上的组合。这设备是高频开关和理想同步整流。
2022-07-19 09:51
Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-
2012-12-07 14:08
安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET 安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N
2010-04-12 10:23
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p
2023-12-28 15:28
。 ASDM30N40AE 采用先进的沟道技术，以出色的RDS(ON)性能脱颖而出。其低RDS(ON)值为您的应用带来更低的功耗和更高的能效，实现电能转化的最佳效率。不论是在负载开关、PWM应用还是功率管理方面，AS
2023-06-05 11:45
30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型
2022-08-27 11:02
mos管p沟道n沟道的区别 MOS管是一种主流的场效应晶体管，分为p沟道
2023-08-25 15:11
NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)
2022-07-14 09:53
