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    MOSFET多数是载流子器件, N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性,就RDS(on)而言,为得到相等的值,P

    2018-03-09 14:28

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    2019-06-18 14:18

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    2019-07-08 15:46

  • nmos管导通条件

    场效应管导通与截止由栅源电压来操控,关于增强场效应管方面来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4

    2019-06-26 16:13

  • MOS管的种类、结构及导通特性

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    2022-10-14 11:00