NP30N04QUK40 V - 30 A - 双 N
2023-03-17 19:49
NP30N04QUK40 V - 30 A - 双 N
2023-07-07 18:41
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS，24V6A
2021-07-21 17:09
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N
2021-03-08 16:42
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
概述 8205ST内部包括两个独立的、N沟道金属氧化物场效应管。它有高密度超低的导通电阻，适合用大功率、大电流的理想锂电池应用，也可用来做小电流负载开关或者PWM开关。 特点 专业
2020-07-06 11:13
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道
2019-05-10 06:46
安捷伦是德KEYSIGHT N1911A P 系列单通道功率计——————————————————————————————深圳捷威信专业销售/租赁/回收/各类设备/网络分析仪/频谱分析仪/信号源
2021-04-30 14:16
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟
2019-05-14 09:23
N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图和电路符号如下图所示，用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，在其表面上覆盖一层二氧化硅（SiO2）的绝缘层，再在二氧化硅层上刻出两个窗口，通过扩散形成两个高
2015-06-12 09:24
