一、NP32N055IDE-VB 产品简介:NP32N055IDE-VB 是一款 N-Channel 沟道 MOSFET,品牌为 VBsemi。其特点包括 60V 额定电压、45A 额定电流,且在
2024-06-12 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
**型号:** NP22N055SLE-VB **丝印:** VBE1638 **品牌:** VBsemi **产品简介:**  
2024-06-18 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:NP32N055SLE-VB品牌:VBsemi丝印:VBE1638参数说明:- 沟道类型:N-Channel- 最大工作电压:60V- 最大电流:45A- 开态电阻:24mΩ @ VGS
2024-06-18 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号
NP32N055SHE-VB---**产品简介:**NP32N055SHE-VB 是由 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道 MOSFET。它具有优秀的性能特征,包括 60V 的漏极
2024-06-12 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号
NP22N055SHE-VB---**产品简介:**NP22N055SHE-VB 是由 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道 MOSFET。它具有卓越的性能特性,包括 60V 的漏极
2024-06-12 11:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介NP34N055SLE-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,具有60V的漏极-源极电压承受能力,最大漏极电流为45A。其特点包括低导通电阻(RDS
2024-06-12 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号
**NP32N055SDE-VB**是VBsemi品牌的N沟道场效应管,丝印标识为VBE1638。该器件采用TO252封装,具有60V的漏极-源极电压承受能力,45A的漏极电流承受能力,以及RDS
2024-06-12 11:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介NP32N055IHE-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,具有60V的漏极-源极电压承受能力,最大漏极电流为45A。其特点包括低导通电阻(RDS
2024-06-12 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:NP32N055ILE-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:- 封装:TO252- 沟道类型:N—Channel- 额定电压:60V- 最大电流:45A- 开态电阻:RDS
2023-12-29 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号
一、NP34N055SLE-E1-AY-VB 产品简介:NP34N055SLE-E1-AY-VB 是一款 N-Channel 沟道 MOSFET,品牌为 VBsemi。其特点包括 60V 额定电压
2024-06-12 11:49 微碧半导体VBsemi 企业号