SPI串行结构的EEPROM最早出现于20世纪80年代中期，由摩托罗拉在其MC68HC系列中首先引入，MicroWire是由国半制定的总线标准，它和SPI非常相似，只是MicroWire的时钟极性CPOL和时钟相位CPHA是固定的，均为0。I2C也是出现在80年代，由Philips制定，它通过一条数据线和一条时钟线实现半双工通信，I2C总线接口实现了最简单的总线接口方式。三种标准如图1所示。
2020-03-12 09:44
NOR闪存已作为FPGA（现场可编程门列阵）的配置器件被广泛部署。其为FPGA带来的低延迟和高数据吞吐量特性使得FPGA在工业、通信和汽车ADAS（高级驾驶辅助系统）等应用中得到广泛采用。汽车场景中
2019-02-23 10:43
NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
2023-11-30 13:53
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，
2018-10-07 15:37
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
2018-09-18 15:10
NOR的特点是芯片内执行（XIP， eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
2018-09-18 10:59
同样值得注意的是闪存有几种不同的类型。最常见的两种是NOR闪存和NAND闪存。
2019-12-05 11:54
图3-4是闪存芯片里面存储单元的阈值电压分布函数，横轴是阈值电压，纵轴是存储单元数量。其实在0或1的时候，并非所有的存储单元都是同样的阈值电压，而是以这个电压为中心的一个分布。读的时候采样电压值，落在1范围里面，就认为是1；落在0范围里面，就认为是是0。
2018-11-13 15:44
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
2018-09-19 09:04
Pmod SF3通过使用Micron的NOR闪存（N25Q256A）为用户提供32MB的外接非易失性存储器。通过使用SPI协议，用户可以对闪存进行写入和读取。 产品特点：
2019-11-28 14:32
