(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压:Vth=1.2~2.2V应用简介:3400-CMN3400-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应
2023-12-29 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
3400-CMN3400-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管,具有以下参数:- 封装:SOT23- 额定电压:30V- 额定电流:6.5A- 开启电阻:30mΩ @ VGS
2024-03-08 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
M24M01-RDW6TP EEPROM 详解与应用在电子产品设计中,非易失性存储器的选择对系统的稳定性和性能至关重要。M24M01-RDW6TP是意法半导体(STMicroelectronics
2024-11-05 09:58 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
M24M01-RMN6TP 详解:高性能 1Mbit EEPROM 存储解决方案在当今电子产品的设计中,选择合适的存储器对于确保设备的性能和可靠性至关重要。ST(意法半导体
2024-10-27 15:10 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
2015 年 7 月 16 日 - Crystek 的 CVCO55CC-3400-3400 VCO(压控振荡器)工作频率为 3400 MHz,控制电压范围为 0.3 V 至
2022-11-16 11:26 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
特点 串行外设接口(SPI)兼容 支持SPI模式0(0,0)和3(1,1) 数据表描述模式0操作 低压操作VCC=1.7V至5.5V 高频工作20MHz时钟速率可从4.5V到5.5V
2024-04-09 11:24 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
描述BLM3400采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。特点VDS = 30V,ID = 5.8ARDS
2023-05-27 15:44 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
AT25M01-SSHM-T EEPROM 详解与应用在现代电子产品设计中,非易失性存储器的选择对系统的稳定性和性能至关重要。AT25M01-SSHM-T是美国微芯科技(Microchip
2024-11-05 10:01 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号