TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片 概述 TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程
2023-09-01 09:46
描述 NP3415EMR采用了先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和 工作电压低至1.8V。这个设备 适合用作负载开关或PWM 应用程序。 一般特征 VDS = -20v, id
2022-07-06 16:06
描述 NP3415EVR采用了先进的沟槽技术 提供卓越的RDS(ON) V ，低栅极电荷和 工作电压低至1.8V。这个设备 适合用作负载开关或PWM 应用程序。 一般特征 DS = -20 v
2022-07-06 16:10
NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01
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NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)
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NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
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N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 1) N沟道增强型
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