将空穴从p+源极和漏极区域吸引到沟道区域。耗尽模式 P 通道P 通道增强模式加工就结构而言，p 沟道耗尽型
2023-02-02 16:26
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个
2018-10-16 17:15
型MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，
2016-09-06 12:51
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件，是不同电子电路中必不可少的元件。一般来说，这些器件根据其默认状态下是否有相应的通道，分为增强型MOSFET和耗尽
2022-09-27 08:00
1. 开关模式电源的启动电路 - SMPS SMPS的传统启动电路方法是通过功率电阻和齐纳二极管。在这种方法中，即使在启动阶段之后，功率电阻也会连续消耗功率。这会导致PCB上过热、效率低下以及
2023-02-21 15:46
长虹CHD3415/CHD3415(A)彩电原理图文件下载
2021-06-01 06:37
阈值电压 (Vt)。此外，耗尽型MOSFET可以在增强模式或耗尽模式下工作。正Vgs将使耗尽型NMOS在增强
2022-09-13 08:00
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并
2023-09-05 07:32
的状态，导致LLC的MOSFET硬开关，典型波形如下，可以看到上管（HVG）打第二个PWM时对应的谐振腔的电流相位是不对的。 再来看过载/短路时，LLC工作在容性模式的情况，先看一张DC gain对应的容
2016-12-12 15:26
特点和优点▪ N沟道MOSFET全桥大电流栅驱动▪ 每个MOSFET的独立控制▪ 低电源电压运行的电荷泵▪ 死区时间可调的交叉传导保护▪ 5.5至50 V电源电压范围▪
2020-09-29 16:51
