A4936是Allegromicro公司的完整的三相无刷DC（BLDC）马达预驱动器，提供高达28V的输出，直接用来驱动六个功率N-MOSFET的大电流栅极
2010-06-28 15:52
2mm*3mm，可以高效驱动外部N-MOSFET来代替传统肖特基二极管或P-MOSFET进行汽车前端反向输入保护。
2024-08-28 10:54
低；当Vgs大于2×Vgs（th）之后，基本视为导通阻抗Rds-on降为最低，s且在温度一致时保持不变，此时增强型N-MOSFET视为完全导通。
2018-05-08 16:01
HUSB383A是一款高性能、高集成度的USB双C口控制器。它集成了两个超低RDSON的N-MOSFET，外围只需少量元器件，一颗HUSB383A即可实现双C口充电解决方案。其单C口支持最高65W快
2023-10-27 09:25
N-MOSFET，相应地就会在驱动它的地方使用电荷泵电路，再进一步就把这部分电路都集成进 IC 里了，下图就是可同时支持 PD/UFCS/私家协议的开关电源次级侧反馈控制芯片 RT7206KLA 的做法，几乎所有可见的东西都已经集成化了，露出芯片外的只有输入输出端子，使用起来是非常简单的。
2022-07-25 14:32
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺
2018-03-09 14:28
晶扬电子作为国内业内著名的“电路与系统保护专家” ，生产的2N7002KX型N沟道MOSFET管，因其优良的性能和广泛的应用领域而备受关注。本文将深入介绍2N7002K
2024-09-10 17:30
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常
2023-04-13 09:40
