IGBT的结构多种多样，但从纵向结构来看可归为穿通型，非穿通型。这两类IGBT的划分依据为：临界击穿电压下Pbase-Ndrift结耗尽层的扩展是否穿透了N-基区。
2020-04-10 10:21
。这个参数对于整个电力电子系统的效率和性能至关重要。导通压降的大小受到多种因素的影响，以下是一些主要因素的分析： IGBT的结构和设计 ： 栅极氧化层厚度 ：栅极氧化
2024-09-19 14:51
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种电力电子器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性。在电力电子领域，IGBT广泛应用于变频器、电动汽车、太阳
2024-09-19 14:46
PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题，但是需要增加外延层厚度，技术复杂，成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规
2023-02-26 11:19
随着功率MOSFET和IGBT的出现，双极型晶体管的发展受到一定影响。但在更高电压、更大电流的应用中，随着外延层（或单晶）厚度、电阻率的的增加，MOSFET、IGBT导通压
2023-07-05 11:15
IGBT芯片采用领先的Trench+Fieldstop技术，业内首次将压降芯片的工作结温提高到150℃，并大幅降低了其导通压降
2020-12-09 10:37
通态损耗Ps。大体来讲，通态损耗等于集电极电流和IGBT管饱和压降的乘积即：Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 10:55
从 20 世纪 80 年代 IGBT 被首次提出至今，IGBT 器件不断朝着更低的正向导通压降、更小的开关损 耗方向发展；但是，鉴于
2023-02-24 09:44
采用“辐照”手段，由于体内晶体结构本身原因造成“负温度系数”，各IGBT原胞通态压降不一致，不利于并联运行，第一代 IGBT
2020-12-09 16:11
在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子（电子和空
2023-01-17 13:59
