。这个参数对于整个电力电子系统的效率和性能至关重要。导通压降的大小受到多种因素的影响，以下是一些主要因素的分析： IGBT的结构和设计 ： 栅极氧化层厚度 ：栅极氧化
2024-09-19 14:51
在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子（电子和空
2023-01-17 13:59
尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压
2017-05-14 09:00
三态数据缓冲器是数据输入/输出的通道，数据传输的方向取决于控制逻辑对三态门的控制。本文介绍三态缓冲器的逻辑符号。
2018-01-11 10:42
本文中基于 QC/T 29106-2014 标准，提出了新的耐久特性测试和触点压降测试方法，并针对这2种测试方法进行试验验证。以下为正文。
2023-09-14 10:00
本文将聚焦“低压降”的含义，并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗？我们将讲解压降的含义，如何测量以及具有标准
2020-11-23 09:27
IGBT集-射极之间的瞬时过压会对IGBT造成损坏，笔者采用箝位式吸收电路对瞬时过电压进行抑制。
2019-09-30 14:46
硅二极管的正向压降是指在二极管导通时，其两端的电压差。这个值对于硅二极管来说通常在0.6V到0.7V之间，但这个值会受到温度、电流和制造工艺等因素的影响。 半导体物理基础 要理解硅二极管的正向压
2024-10-14 15:48
在设计阶段进行电源完整性仿真分析，包括电源DC压降仿真、AC频域仿真、时域瞬态噪声仿真、电热仿真，以规避PCB设计中的电源风险。 本文介绍了采用芯和半导体HermesPSI软件进行电源DC压
2022-02-28 10:50
半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压
2023-12-18 09:40
