N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提
2013-05-06 18:17
MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小
2012-07-09 11:53
MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小
2012-07-09 10:01
的差异。最高波长的偏差带通常为±10%。 如图2-5所示为LED正向导通压降与颜色和电流的关系曲线。在导通起始点，红光LED的导通电压降Vf约为2V，蓝光LED的导通压
2014-08-18 14:22
IGBT 也称为绝缘栅双极晶体管, 是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件, 它将功率场效应管和电力晶体管的优点集于一身, 既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点, 又具有通态电压低、耐压高和承受电流大等优点, 因此应
2016-06-21 18:23
必须要提高N-drift来提高耐压，所以导通电阻和关断功耗都比较高，所以没有普及使用。2) 第二代：PT-IGBT，由于耗尽层不能穿透N+
2020-08-09 07:53
一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴，对N 一层进行电导调制，减小
2012-07-25 09:49
开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。但是，IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通
2011-08-18 09:32
的变量有哪些呢？除了芯片性能,工艺技术外，温升变化又是非常重要的一个方面。 肖特基二极管正向压降?值大小与温度高低呈现反比关系 ASEMI肖特基二极管MBR60100PT作为半导体功率器件，在实际
2018-12-25 14:04
的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。正向阻断当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P
2012-07-09 14:14
