模式如下图所示： 传统IGBT串联二极管 常规IGBT反向耐压小的原因： 为了折中通态压降Von和关断损耗Eo
2020-12-11 16:54
穿通（Punch-through：PT）IGBT最初商业化的IGBT采用的是外延材料，该外延材料是通过在P+衬底上外延N型缓冲
2015-12-24 18:13
如图所示，现在的问题是IGBT的门极给的是15V驱动电压，Vce=27V,为什么导通之后负载对地的电压只有9.7V，在IGBT上的压降很大，怎么才能解决这个问题
2016-10-16 17:07
输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一
2012-06-19 11:36
的区别请参考：PT，NPT，FS型IGBT的区别）。技能：低导通压降，125℃工作结温（600V器件为150℃），开关性能优化得益于场截止以及沟槽型元胞，
2021-05-26 10:19
MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小
2012-07-09 11:53
MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小
2012-07-09 10:01
降；Roh ——沟道电阻。通态电流 Ids 可用下式表示：Ids=(1+Bpnp)Imos式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流。由于N+区存在电导调制效应，所以IGB
2018-10-18 10:53
IGBT 饱和压降Vsat实测值和官方参数对比在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假，标称的饱和
2015-03-11 13:15
必须要提高N-drift来提高耐压，所以导通电阻和关断功耗都比较高，所以没有普及使用。2) 第二代：PT-IGBT，由于耗尽层不能穿透N+
2020-08-09 07:53
