N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提
2013-05-06 18:17
利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真，在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降，得到
2011-12-05 15:28
电子发烧友网站提供《栅极宽度对IGBT通态压降的影响.pdf》资料免费下载
2023-10-25 10:45
IGBT的结构多种多样，但从纵向结构来看可归为穿通型，非穿通型。这两类IGBT的划分依据为：临界击穿电压下Pbase-Ndrift结耗尽层的扩展是否穿透了N-基区。
2020-04-10 10:21
。这个参数对于整个电力电子系统的效率和性能至关重要。导通压降的大小受到多种因素的影响，以下是一些主要因素的分析： IGBT的结构和设计 ： 栅极氧化层厚度 ：栅极氧化
2024-09-19 14:51
如图所示，现在的问题是IGBT的门极给的是15V驱动电压，Vce=27V,为什么导通之后负载对地的电压只有9.7V，在IGBT上的压降很大，怎么才能解决这个问题
2016-10-16 17:07
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种电力电子器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性。在电力电子领域，IGBT广泛应用于变频器、电动汽车、太阳
2024-09-19 14:46
PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题，但是需要增加外延层厚度，技术复杂，成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规
2023-02-26 11:19
模式如下图所示： 传统IGBT串联二极管 常规IGBT反向耐压小的原因： 为了折中通态压降Von和关断损耗Eo
2020-12-11 16:54
IGBT 饱和压降Vsat实测值和官方参数对比在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假，标称的饱和
2015-03-11 13:15
