N 沟道 TrenchMOS SiliconMAX 标准级 FET-PSMN03
2023-02-27 19:23
D13N03LT是一个塑料封装的以沟道金属氧化物TrenchMOS技术生成的双N沟道增强模式场效应管。
2021-05-06 14:58
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图和电路符号如下图所示，用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，在其表面上覆盖一层二氧化硅（SiO2）的绝缘层，再在二氧化硅层上刻出两个窗口，通过扩散形成两个高
2015-06-12 09:24
的FET，與GateChannel 之間呈絕緣狀的FET。圖2 是FET 電路圖常用符號，由圖可知常用符號依照內部結構也分成2 大類，分別是N 型 Channel 與
2009-09-24 15:40
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23
可将N沟道JFET看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET的 d极 、g 极、s极。“人工”体现了开关的“控制”作用即vGS。JFET工作时，在
2012-08-13 12:51
的。N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS。先从NMOS的工作原理讲起：对于增强型NMOS，绝缘层中没有电荷，所以栅不通电时，绝缘层下的沟道仍为P型半导体，而而N
2012-07-05 11:30
