的小型封装，将高功率和热效率与极高的质量水平相结合。查看详情<<特性：符合AEC Q101重复雪崩等级额定温度为175°C，适用于高温环境真逻辑电平
2021-01-23 11:20
D13N03LT是一个塑料封装的以沟道金属氧化物TrenchMOS技术生成的双N沟道增强模式场效应管。
2021-05-06 14:58
;<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑
2010-04-15 09:51
，另一个与积极联系起来？增强型（“常关”） 当栅极上相对于源极有足够高的正电压（逻辑电平 MOSFET 通常为 3 至 5 伏）时，N 沟道 MOSFET 导通。您可以
2023-02-02 16:26
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述&a
2010-08-17 09:21
`60V 12A N沟道功率场效应（MOS）管 单管 STD12NF06LT4物料链接：http://www.hqchip.com/app/1174_n100官网：ww
2019-07-09 15:13
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/
2019-05-14 09:23
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动
2018-03-03 13:58
沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行
2021-04-09 09:20
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02
