N沟道与P沟道FET构成推挽工作的缓冲器电路图
2009-07-13 17:26
p沟道和n沟道的区别 n沟道和p沟道怎样区分？ 区分p
2023-11-23 09:13
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P
2023-12-28 15:47
场效应管（Field-Effect Transistor, FET）的N沟道和P沟道是其两种主要类型，它们在导电机制、结构特点、工作原理及应用场景上存在显著差异。要准确
2024-08-13 17:08
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p
2023-12-28 15:28
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P
2024-09-23 16:38
PHB和PHB-g-MA与甲壳胺的相互作用 随着科学技术日新月异的发展，高分子材料得到快速发展，目前已经成为应用最广泛的材料。由于PHB是由生物合成的高分子，从PHB
2009-11-21 09:47
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道
2011-10-21 08:53
，当然也离不开传统的功率器件的需求，例如大电流的MOS管等。本文推荐安森德的N沟道MOSASDM100R066NQ，应用在小基站的设计中，耐压可以达到100V，导
2022-05-06 10:45 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
