MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P
2018-03-09 14:28
FET T1 和 T2 是 BF245 N 沟道 FET 的型号。它可以
2022-06-13 15:25
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
Effect Transistor）是一种电压控制的半导体器件，它通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。FET开关的工作原理基于场效应原理，即通过改变栅极电压来改变沟道的电导率，从而控制漏极电流。 N型
2024-10-09 15:51
晶扬电子作为国内业内著名的“电路与系统保护专家” ，生产的2N7002KX型N沟道MOSFET管，因其优良的性能和广泛的应用领域而备受关注。本文将深入介绍2N7002K
2024-09-10 17:30
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P
2023-04-13 09:40
本应用笔记解释了如何在高边工业负载开关应用中选择与MAX14922配合使用的合适的外部n沟道MOSFET。
2022-12-15 20:11
指标。为了提高电源的效率，80 PLUS钛金级电源的设计人员正在寻找650 V GaN FET，实现更小、更快、更凉、更轻的系统，同时降低总体系统成本。
2023-02-08 09:17
FET335xS核心板基于TI公司Sitara系列的工业级ARM处理器AM3354设计完成，ARM Cortex-A8架构，运行频率800MHz（1GHz可选）。
2019-12-03 15:16
.前一段时间在玩xilinx送我在跑XUPV5-LX110T，首先跑xilinx给出的XUPV5-LX110T的demo设计，结果发现遇到了一些错误但是自己在网上发现很少有答案，就把自己的一些总结贴出来：
2017-02-11 15:30
