N沟道与P沟道FET构成推挽工作的缓冲器电路图
2009-07-13 17:26
p沟道和n沟道的区别 n沟道和p沟道怎样区分？ 区分p
2023-11-23 09:13
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和8
2022-02-07 15:37
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P
2023-12-28 15:47
Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N
2010-04-07 10:52
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道
2011-10-21 08:53
指标。为了提高电源的效率，80 PLUS钛金级电源的设计人员正在寻找650 V GaN FET，实现更小、更快、更凉、更轻的系统，同时降低总体系统成本。
2023-02-08 09:17
场效应管（Field-Effect Transistor, FET）的N沟道和P沟道是其两种主要类型，它们在导电机制、结构特点、工作原理及应用场景上存在显著差异。要准确
2024-08-13 17:08
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p
2023-12-28 15:28
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P
2024-09-23 16:38
