指标。为了提高电源的效率，80 PLUS钛金级电源的设计人员正在寻找650 V GaN FET，实现更小、更快、更凉、更轻的系统，同时降低总体系统成本。
2023-02-08 09:17
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P
2018-03-09 14:28
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
Effect Transistor）是一种电压控制的半导体器件，它通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。FET开关的工作原理基于场效应原理，即通过改变栅极电压来改变沟道的电导率，从而控制漏极电流。 N型
2024-10-09 15:51
FET T1 和 T2 是 BF245 N 沟道 FET 的型号。它可以用 NTE133 或 ECG312 代替。BA121变容二极管可以更换为ECG/NTE611。U
2022-06-13 15:25
5G第一个演进版本标准R16中，出现了一个新名词——UL Tx switching（上行发射机切换），作为R16中引入的新特性，它可以将上行峰值速率提升40%到80%，
2020-07-15 19:10
MOS管通常在电子电路中作为电子开关，通过控制栅极电压来开启或关闭电流的流动，它具有开关速度快噪声低、功耗小等优点。本文给大家推荐一款在国内生产的N沟道MOS管HKTD80N06，它在电机驱动、逆变器、BMS等产品上
2024-08-01 11:17
FET335xS核心板基于TI公司Sitara系列的工业级ARM处理器AM3354设计完成，ARM Cortex-A8架构，运行频率800MHz（1GHz可选）。
2019-12-03 15:16
Arm Cortex-M85 RA8系列于2024年11月推出RA8E1和RA8E2两款新产品。这两款新产品已正式量产上市，将高算力的RA8系列扩展到入门
2024-12-09 10:35
晶扬电子作为国内业内著名的“电路与系统保护专家” ，生产的2N7002KX型N沟道MOSFET管，因其优良的性能和广泛的应用领域而备受关注。本文将深入介绍2N7002K
2024-09-10 17:30
