N 沟道 TrenchMOS 标准级 FET-BUK7635-100A
2023-03-02 22:43
D13N03LT是一个塑料封装的以沟道金属氧化物TrenchMOS技术生成的双N沟道增强模式场效应管。
2021-05-06 14:58
NDS9410A N沟道场效应管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结
2021-03-08 16:42
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS，24V6A，内阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R双N
2021-07-21 17:09
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
的FET，與GateChannel 之間呈絕緣狀的FET。圖2 是FET 電路圖常用符號，由圖可知常用符號依照內部結構也分成2 大類，分別是N 型 Channel 與P
2009-09-24 15:40
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23
概述：HIP4080A高频全桥FET驱动器。它为双列直插20脚封装。80V 2.5A N沟全桥FET驱动电路。带宽1MH
2021-04-21 07:09
