N 沟道 TrenchMOS 中间级 FET-BUK663R5-55C
2023-03-02 22:31
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
D13N03LT是一个塑料封装的以沟道金属氧化物TrenchMOS技术生成的双N沟道增强模式场效应管。
2021-05-06 14:58
BUK663R5-55C - N-channel TrenchMOS FET - NXP Semiconductors
2022-11-04 17:22
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS，24V6A，内阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R双
2021-07-21 17:09
像看上去那么糟糕，封装与 IC 技术的进步已经创建了有助于解决这些问题的全新产品类型。具有集成型电源开关 (FET) 的电源控制 IC 正在快速占据负载点市场。DC 至 DC 负载点转换器通常用于从中间
2022-11-23 06:34
的应用提供了更广阔的想象空间。飞凌嵌入式新一代Layerscape系列核心板FET1028A-C今日正式发布。作为一款全能产品，支持5G和边缘计算技术，为工业互联网赋能！FET1028A-C核心板基于NXPLS102
2021-12-20 07:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-05 11:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:34
