MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P
2018-03-09 14:28
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
Effect Transistor）是一种电压控制的半导体器件，它通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。FET开关的工作原理基于场效应原理，即通过改变栅极电压来改变沟道的电导率，从而控制漏极电流。 N型
2024-10-09 15:51
IPC-M10R800-A3288C 四核工业级行业平板
2019-11-11 11:08
FET T1 和 T2 是 BF245 N 沟道 FET 的型号。它可以用 NTE133 或 ECG312 代替。BA121变容二极管可以更换为ECG/NTE611。U
2022-06-13 15:25
晶扬电子作为国内业内著名的“电路与系统保护专家” ，生产的2N7002KX型N沟道MOSFET管，因其优良的性能和广泛的应用领域而备受关注。本文将深入介绍2N7002K
2024-09-10 17:30
我们使用printf打印时基本都会用到 \n 和 \r 之类控制字符，比如：printf（“hello world！\r\n”）;那你知道这些 \
2020-08-24 17:00
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P
2023-04-13 09:40
这是基于音频前置放大器的电路，具有非常低的噪声。该电路使用一个FET和一个BJT。要放大的音频信号使用电容C1和电阻R3耦合到FET Q1的基极。晶体管Q2的基极耦合到
2023-04-02 14:56
本文主要介绍了6n137和6n136有什么区别_6N137和6N136的使用，6N136的结构原理：信号从脚2脚3 输入
2018-03-29 17:06
