N 沟道 TrenchMOS 中间级 FET-BUK661R6-30C
2023-03-02 22:33
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS，24V6A，内阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618
2021-07-21 17:09
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结
2021-03-08 16:42
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
6V）及中间电压输入（高达 30V）器件已经非常普遍了。与传统控制器加外部电源开关相比，集成型 FET 电路可提供大量优势：更小的尺寸驱动器与停滞时间可针对内部
2022-11-23 06:34
D13N03LT是一个塑料封装的以沟道金属氧化物TrenchMOS技术生成的双N沟道增强模式场效应管。
2021-05-06 14:58
661xxA服务指南
2019-03-20 10:43
661xxA编程指南
2019-04-15 13:36
MCP661DM-LD，演示板在非常基本的应用中使用MCP661，用于高速运算放大器，50欧姆线路（同轴）驱动器。它提供了30 MHz的解决方案，高速PCB布局技术，测试AC响应，阶跃响应和失真
2020-05-29 08:55
220V。30v绕组作为二次侧输出绕组。该变压器有两种灯丝电压12.6v和6.3v，由于用300v绕组作初级，6.3v绕组电压将下降到5V左右。12.6V绕组电压下降到10v左右。6N3的灯丝电流为
2021-05-10 08:05
