帮忙分析一下这个电路的输入级 中间级 输出级 Rf2
2020-05-20 14:11
请问前级放大电路和中间级放大电路使用哪款运放比较合适。
2024-08-21 08:00
你好！我在使用芯片VCA810作为中间级放大时，控制电压Vc大约在-1.58~-1.65V和-0.4V左右时芯片的输出噪声比较高（达到了10mVpp），其他控制电压的时候输出噪声比较小（仅有3mVpp左右）。请问这种现象正常吗？不正常的话，造成这种现象的原因可能是什么呢？
2024-09-18 08:07
1 图中圆圈处，TFT 沟道中间那块金属的作用，既没有跟源级连，也没跟漏级连接。2 TFT 源级跟漏
2017-02-12 19:35
的工作环境，由于其额定温度为+175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。Nexperia汽车用MOSFET具有额定重复性雪崩，开关速度非常快，ESD电阻高。Nexperia MOSFET采用先进的业界领先
2021-01-23 11:20
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极
2023-02-02 16:26
D13N03LT是一个塑料封装的以沟道金属氧化物TrenchMOS技术生成的双N沟道增强模式场效应管。
2021-05-06 14:58
vca810作为中间级，在宽带直流放大器调试中出现自激现象。在放大信号的时候发现没有，按照pdf上面电路的搭法没有能够实现40dB的增益，在大概25dB的时候出现了自激现象，还有衰减的时候貌似也不给力，衰减20dB时候，波形失真很严重！请问此pdf图是否还有其他的测试条件？
2024-09-26 07:41
栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性曲线中见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。图6：施加栅极电压时，N沟道MOSFET工作在第三象限的典型特性表1对
2018-03-03 13:58
见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。图6：施加栅极电压时，N沟道MOSFET工作在第三象限的典型特性。表1对N沟道M
2021-04-09 09:20
