P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管
2024-09-23 17:12
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性，它决定了电流在器件内部的流动路径。对于P沟道场效应管而言，其电流方向具有独特性，下面将详细阐述其电流方向及其背后的物理机
2024-09-23 17:22
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。
2023-09-02 10:05
驱动电路由缓冲器U、电阻R2 及1 对小功率场效应对管Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q2 导
2012-04-17 15:43
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？
2023-05-09 09:06
值得一提，仅为6.8毫欧，这意味着在导通状态下，其电阻值较小，能够减少能量损耗，提高系统的效率。 二、MT3287 N沟道场效应管的应用领域 1. 电力电子：在电力电子领域，MT328
2024-07-04 15:13
下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路。
2023-02-15 11:06
仅采用四只N沟道场效应管的 全桥驱动电路 工作时，在驱动控制Ic的控制下，使V1、V4同时导通，V2、V3同时导通，且V1、V4
2012-04-05 11:32
