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型号：STH3<b class='flag-s-7'>N</b>150-2是一款高性能的<b class='flag-s-7'>N</b><b class='flag-s-7'>沟道场效应晶体管</b>（MOS 品牌：

产品详情：STH3N150-2是一款高性能的N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于各种电子设备和电路应用。它采用先进的技术和材料，具有优异的导通特性和稳定的性能，可

2024-04-25 19:36 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs<b class='flag-s-7'>场效应管</b>详 品牌：

AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs场效应管详解产品概述AM020MH2-BI-R是一款由AMCOM公司推出的高压GaAs场效应管（FET），属于其HiFET系列。该产品专为高频、高

2024-10-19 23:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：TTK2837 品牌：

东芝场效应管 TTK2837 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管），具有以下一些特性：•

2024-08-05 16:09 优起辰电子 企业号

型号：KHB2D0<b class='flag-s-7'>N</b>60P 品牌：

商品名称：绝缘栅场效应管型号：KHB2D0N60P品牌：KEC封装：TO-220VDSS ：600VVGSS:±30VID:2APW:54WT stg :-55-155°R DS(ON)：5.0ΩVGS:10VQg(typ.): 10.9nC

2023-08-17 15:25 优起辰电子 企业号

型号：NCE65T180F 品牌：

 MOS管650V-N沟道TO-220F MOSFET场效应管-NCE65T180F  一、General Descriptio

2024-08-17 14:24 东莞市中铭电子 企业号

型号：STB15810 品牌：意法

STB15810是ST意法半导体生产的一款N沟道增强型场效应管，其详细参数如下：漏源电压（Vdss）：100V；漏极电流（Id）：250W；漏源导通电阻（Rds(on)

2024-08-01 10:37 优起辰电子 企业号

型号：FDC796<b class='flag-s-7'>N</b>-NL-VB 品牌：微碧

以下是关于 VBsemi 品牌的 FDC796N-NL-VB N-Channel 沟道场效应管的产品详细信息：### 产品简介FDC796N-NL-VB 是 VBsem

2024-05-30 17:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NP1216DR 品牌：

南麟 NP1216DR MOS场效应管 P沟道 -12V 16A 11.5mΩ DFN2*2-6L

2022-08-12 10:26 深圳市瑞江无限科技有限公司 企业号

型号：ME3424-VB 品牌：微碧

参数说明- **器件类型**: N沟道场效应管- **额定电压 (VDS)**: 30V- **额定电流 (ID)**: 6A- **导通电阻 (RDS(ON))*

2024-06-11 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD230<b class='flag-s-7'>N06N</b>-G-VB 品牌：微碧

该型号为VBsemi生产的N沟道场效应管(IPD230N06N-G-VB)，以下是对该产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的说明：### 产品简介IPD230N06N

2024-06-03 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号