NDS9410A N沟道场效应管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50
。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图可看
2011-06-08 10:43
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。问题：即然Q1为
2010-11-16 12:28
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-05 11:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:34
的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型
2018-10-29 22:20
VMOS场效应管（VMOSFET）简称Vmos管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS
2021-05-13 06:40
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-04 17:48
小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧
2021-05-13 06:55
