，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体
2016-10-14 15:11
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（
2021-07-23 08:11
自由电子，所以在N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴浓度，自由电子为多数载流子，空穴是少数载流子。此 时，杂质半导体仍然呈现电中性。注意：杂质
2017-07-28 10:17
的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P
2016-01-14 15:34
”对越多;在室温下,“电子—空穴”对少,故电阻率大。2. 掺杂半导体及其特点 (1) N 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量五价元素形成
2021-05-24 08:05
，载流子的产生和复合达到动态平衡。8、N型半导体是在硅或锗的晶体中掺入磷（或其他五价元素），半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种
2016-10-07 22:07
，掌握它们的特性和参数。本章从讨论半导体的导电特性和PN 结的单向导电性开始，分别介绍二极管、双极型晶体管、绝缘栅场效应晶体管和半导体光电器件等常用的半导体元器件。喜欢
2008-05-24 10:29
器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-
2021-05-25 07:46
1，半导体基础2，PN节二极管3，BJT和其他结型器件4，场效应器件
2020-11-27 10:09
半导体器件主要有功率模组、功率集成电路（即Power IC，简写为PIC，又称为功率IC）和分立器件三大类；其中，功率模组是将多个分立功率半导体器件进行模块化封装；功率IC对应将分立功率
2019-02-26 17:04
