，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体
2016-10-14 15:11
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（
2021-07-23 08:11
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成
2012-07-11 20:23
自由电子，所以在N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴浓度，自由电子为多数载流子，空穴是少数载流子。此 时，杂质半导体仍然呈现电中性。注意：杂质
2017-07-28 10:17
自由电子，所以在N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴浓度，自由电子为多数载流子，空穴是少数载流子。此 时，杂质半导体仍然呈现电中性。注意：杂质
2018-02-11 09:49
挣脱束缚，会导致载流子浓度上升，从而打破这个平衡，温度一定后会再次建立平衡。杂质半导体通过扩散工艺，在本征半导体掺入某些元素。一 .N型
2020-06-27 08:54
，载流子的产生和复合达到动态平衡。8、N型半导体是在硅或锗的晶体中掺入磷（或其他五价元素），半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种
2016-10-07 22:07
的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P
2016-01-14 15:34
”对越多;在室温下,“电子—空穴”对少,故电阻率大。2. 掺杂半导体及其特点 (1) N 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量五价元素形成
2021-05-24 08:05
在这里我们通过半导体与其他材料的主要区别来了解半导体的本性： 在室温下，半导体的电导率处在103~10-9西[门子]/厘米之间，其中西[门子]/厘米为电导率的单位，电导
2018-03-29 09:04
